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RSS090N03FU6TB |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Rohm Semiconductor | 11892 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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RSS090N03FU6TB参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC 包装数量：1 包装形式：剪切带 (CT) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：15 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：810pF @ 10V 功率 - 最大值：2W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： PMIC - 稳压TPS76032DBVTG4 矩形- 接头，公引0015910708 接线板 - 线至板1-282851-1 逻辑 - 触发器SN74AHC174DGVR 同轴，RFCCSMA-MM-SS402-24 时钟/计时 - 时NB7L585MNR4G Card EdgeRSM08DTBH 铝电容器LXZ50VB821M18X20LL 陶瓷电容器A182M15X7RF5UAA LED - 垫片，ELM1-615 |
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